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球狀焊接芯片正式入駐固態驅動器產品線。

EverSpin的MRAM芯片BGA焊球細節

東芝公司已經發布了其體積更為小巧但容量更高的平板設備專用SSD，而其終極輕薄的效果源自TLC 3D NAND與BG1 SSD卡產品線的結合——存儲容量亦借此實現倍增。

BG1 SSD最初誕生于2015年8月，為一款容量256 GB的NVMe M.2產品。此產品配備邊緣連接器并可接入插槽當中。

這款芯片本身以焊接方式固定至M.2卡之上，且采用一套球柵陣列（簡稱BGA）。這種球形焊接直接深入表面之下，可用于將芯片連接器同母卡直接相連。

這種新的連接方式能夠替代過去的針腳設計——而且與BGA相比，針腳固定方式存在著易彎曲變形及電感較高的等缺點。

東芝公司于2015年1月公布了其首款NVMe BG系列芯片，其采用19納米東芝MLC（二層單元）閃存并提供128 GB與256 GB兩種容量選項。另外，其還提供芯片內置控制器與NVMe驅動的PCIe 3.0接口。這套BGA封裝方案被用于M.2 BG1 SSD，體積為16毫米x 20毫米，與最新BG產品保持一致。

根據我們得到的消息，其表面積較東芝的2.5英寸SATA存儲設備降低了95%，相較于M.2 Type 22806封裝亦縮小82%。

左側為東芝BG1的小型邊緣連接器卡。

而隨著TLC（即三層單元）3D NAND與東芝BiCS技術的配合，BG芯片的容量將提升至512 GB。我們假定其采用48層BiCS。目前尚不清楚具體性能——包括IOPS或者傳輸帶寬——或者使用壽命信息，不過可能已經有部分OEM合作方拿到了這部分數據。

新一代產品提供128 GB、256 GB與512 GB容量選項，且通過16毫米x 20毫米封裝（M.2 Type 1620）或者可移動（插槽）M.2 Type 2230模塊交付。

這款設備采用PCIe第三代x2接口，同時可實現NVMe標準主機內存緩沖（簡稱HMB）功能。其可分配并利用主機DRAM進行閃存管理，而不再依賴于內置DRAM。對主機內存中的數據進行查詢能夠顯著降低常規數據的訪問延遲。

MRAM芯片開始利用球狀焊點網格實現對接

BG 3D NAND SSD將受眾指向平板設備以及輕薄型與便攜式二合一筆記本產品OEM廠商。

目前相關樣品已經開始向PC OEM客戶定量提供，預計批量供應將于2016年第四季度實現。參與本屆8月8號到11號于加利福尼亞州圣克拉拉市召開的2016年閃存記憶體峰會的朋友將能夠了解更多來自東芝方面的新消息。